- 作 者：
- 出 版 社：
- 出版年份：2222
- ISBN：
- 标注页数：208 页
- PDF页数：210 页
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上册目录 1
序…………………………………………………………………ⅳ 1
引言 1
第一章 锗和硅的化学制备 2
§1 锗的来源、富集和制取 2
§2 硅的来源、制取和化学提纯 6
第二章 锗和硅的区域提纯 16
§3 分凝现象 17
§4 正常凝固 21
§5 区域提纯原理 30
§6 锗的区域提纯 38
§7 硅的区域提纯 44
§8 材料纯度的鉴定 52
参考文献 55
第三章 锗和硅的单晶生长 57
§9 从液相中生长单晶的过程和理论 58
§10 锗和硅的单晶生长方法 73
§11 生长锗、硅晶体的新方法 84
§12 单晶的检验和晶向测定 91
参考文献 94
第四章 半导体中的位错 97
§13 位错的产生 99
§14 减少位错的方法与生长无位错的锗、硅单晶 110
§15 位错对半导体电学性质的影响 114
§16 位错对原子过程的作用 120
§17 位错的检验和位错密度的测量 123
参考文献 128
第五章 锗和硅中的杂质 131
§18 锗和硅中杂质的物理化学性质 132
§19 杂质在晶体中的分布与掺杂 145
§20 获得均匀电阻率的方法 161
§21 锗和硅中的非Ⅲ族、非V族杂质 173
§22 电学性质的测量 181
参考文献 204