- 作 者：尹建华，李志伟主编
- 出 版 社：北京：化学工业出版社
- 出版年份：2012
- ISBN：9787122127273
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第1章 概论 1
1.1 硅材料工业的发展 1
1.2 半导体市场及发展 2
1.3 中国新建、扩建多晶硅厂应注意的问题 3
本章小结 5
习题 6
第2章 半导体材料的基本性质 7
2.1 半导体材料的分类及性质 7
2.2 硅的物理化学性质 9
2.3 硅材料的纯度及多晶硅标准 11
本章小结 12
习题 13
第3章 晶体几何学基础 14
3.1 晶体结构 14
3.2 晶向指数 16
3.3 晶面指数 17
3.4 立方晶体 17
3.5 金刚石和硅晶体结构 19
3.6 倒格子 22
本章小结 23
习题 24
第4章 晶体缺陷 25
4.1 点缺陷 25
4.2 线缺陷 28
4.3 面缺陷 32
4.4 体缺陷 33
本章小结 34
习题 34
第5章 能带理论基础 35
5.1 能带理论的引入 35
5.2 半导体中的载流子 37
5.3 杂质能级 38
5.4 缺陷能级 40
5.5 直接能隙与间接能隙 40
5.6 热平衡下的载流子 41
本章小结 47
习题 47
第6章 p-n结 49
6.1 p-n结的形成 49
6.2 p-n结的制备 50
6.3 p-n结的能带结构 51
6.4 p-n结的特性 52
本章小结 53
习题 53
第7章 金属-半导体接触和MIS结构 54
7.1 金属-半导体接触 54
7.2 欧姆接触 58
7.3 金属-绝缘层-半导体结构（MIS） 59
本章小结 61
习题 62
第8章 多晶硅材料的制取 63
8.1 冶金级硅材料的制取 63
8.2 高纯多晶硅的制取 64
8.3 太阳能级多晶硅的制取 66
本章小结 67
习题 67
第9章 单晶硅的制备 68
9.1 结晶学基础 68
9.2 晶核的形成 70
9.3 区熔法 73
9.4 直拉法 77
9.5 杂质分凝和氧污染 85
9.6 直拉硅中的碳 90
9.7 直拉硅中的金属杂质 92
9.8 磁拉法 95
9.9 CCz法 99
本章小结 103
习题 103
第10章 其他形态的硅材料 104
10.1 铸造多晶硅 104
10.2 带状硅材料 116
10.3 非晶硅薄膜 118
10.4 多晶硅薄膜 121
本章小结 124
习题 124
第11章 化合物半导体材料 125
11.1 化合物半导体材料特性 125
11.2 砷化镓（GaAs） 126
本章小结 136
习题 136
第12章 硅材料的加工 137
12.1 切去头尾 137
12.2 外径滚磨 139
12.3 磨定位面（槽） 140
12.4 切片 141
12.5 倒角（或称圆边） 144
12.6 研磨 145
12.7 腐蚀 147
12.8 抛光 148
12.9 清洗 152
本章小结 154
习题 155
附录 156
附录A 常用物理量 156
附录B 一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度 156
附录C 真空中清洁表面的金属功函数与原子序数的关系 157
附录D 主要半导体材料的二元相图 157