- 作 者：宋志堂著
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：2010
- ISBN：9787030267405
- 标注页数：253 页
- PDF页数：262 页
请阅读订购服务说明与试读!
订购服务说明
1、本站所有的书默认都是PDF格式，该格式图书只能阅读和打印，不能再次编辑。
2、除分上下册或者多册的情况下，一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源262 ≥253页】
图书下载及付费说明
1、所有的电子图书为PDF格式，支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读；可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。
2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)
3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。
第1章 绪论 1
1.1半导体存储器简介 1
1.2相变存储器概述 8
1.3相变存储器研究现状 12
1.4相变存储器的发展趋势 14
参考文献 19
第2章 Ge2Sb2Te5相变材料及其改性 22
2.1 Ge2Sb2Te5薄膜的制备与性能表征 22
2.2 Ge2Sb2Te5薄膜的氮掺杂 30
2.3 Ge2Sb2Te5薄膜的氧离子掺杂 38
2.4纳米复合相变材料 45
参考文献 49
第3章 新型相变材料 52
3.1新型相变材料筛选理论与方法 52
3.2 SiSbTe相变材料 66
3.3环境友好无碲SiSb相变材料 81
参考文献 101
第4章 相变存储单元制备及关键工艺 106
4.1纳米加热电极 106
4.2相变材料的干法刻蚀工艺 110
4.3化学机械抛光（CMP） 116
4.4电子束曝光工艺 128
参考文献 138
第5章 相变存储器模拟 141
5.1相变存储单元读、写操作的器件模拟 141
5.2 Hspice电学模拟 164
参考文献 173
第6章 新结构相变存储单元 175
6.1基于夹在多晶锗层间的GeSbTe PCRAM器件 175
6.2相变存储器用三氧化钨下加热层 187
6.3相变存储单元底电极结构的改进——针状电极 191
6.4横向纳米线结构 197
参考文献 204
第7章 相变存储器测试 206
7.1材料电性能表征测试 206
7.2器件电性能测试及操作特性测试 209
7.3工艺一致性测试及WAT 217
7.4产品测试 219
第8章 相变存储器设计与制造 221
8.1相变存储器的整体结构 221
8.2相变存储单元设计 222
8.3驱动模块设计 224
8.4基准电路设计 227
8.5控制逻辑设计 228
8.6相变存储器芯片制造 229
参考文献 253