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半导体器件译丛 3 总第10期

作者：济南市半导体元件实验所情报资料室编辑
出版社：济南市半导体元件实验所情报室资料室
出版年份：1971
ISBN：
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（1）氮化硅通过氧的影响转变为二氧化硅 1

（2）硅上氮化硅和氮氧化硅薄膜作扩散掩蔽 10

（3）氧化硅做氮化硅的腐蚀掩蔽 14

（4）用氯进行硅气相腐蚀 16

（5）锑扩散的掺杂氧化物淀积系统 21

（6）硅器件工艺过程中氯化氢吸附的使用 28

（7）离子沾污引起的低电流hFE的退化 32

（8）hFE的雪崩衰降 47

（9）半导体片中掺杂分布的直接图示方法 59