1至1.5微米超大规模集成电路专集

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加速发展1微米技术，把我国微电子产业提高到新水平（代序） 1

1～1.5微米硅VLSI的发展（综述） 3

32k字节集成高速缓冲存储器 21

8ns 256k Bi CMOS RAM 29

一种5V单电源页面型擦除的单管256k E2PROM 36

具有地址多路传送的22ns的1M位CMOS高速DRAM 41

TX1型32位微处理机的设计 47

一种用于开关系统、执行速度为560万条指令／秒（5.6MIPS）的调入—处理式处理机 54

用于高清晰度电视系统的带有单管DRAM行存储器的视频编码／译码器LSI电路 60

单片16位25ns即时视频／图象信号处理器 65

用于调制解调器的前端处理器 71

10位视频Bi CMOS跟踪—保持放大器 77

采用流水线式宽带S/H的8位50MHz CMOS分级A/D转换器 87

用于ANSI际准ISDN收发信机的数字信号处理器 95

高速1M位DRAM制作中的工艺技术 104

CMOS VLSI 1.2微米工艺技术 109

CMOS有源器件和场隔离的制造 118

CMOS器件的隔离和闩锁效应的防止 127

CMOS接触与互连 131

具有LDD结构的CMOS热载流子保护 137

兆位级电路对应的超净技术 143