- 作 者：锦州晶体管厂情报资料室编
- 出 版 社：锦州晶体管厂情报资料室
- 出版年份：1973
- ISBN：
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第一部分 半导体材料 1
1．多晶硅的生产方法 1
2．四氯化硅和三氯氢硅氢还原法比较 2
3．四氯化硅的性质 2
4．三氯氢硅的物理化学性质 5
5．硅烷的性质 7
6．半导体材料的一些重要物理性质 8
7．某些三、五族化合物的重要生长条件和外延膜特性 13
第二部分 金属、合金及化学试剂 14
1．最主要半导体材料的腐蚀剂 14
2．锗、硅、砷化镓常用的合金材料 20
3．常用合金品种及其化学成分 21
4．高纯金属纯度的表示方法 24
5．常用金属与合金的物理性质 25
6．常用金属与合金的腐蚀剂 28
7．常用酸碱的性质 29
8．常用有机溶剂的性质 30
9．几种典型的光致抗蚀剂及其性能 31
10．制版、光刻工艺中常用的试剂 32
11．电镀液常用的试剂 35
第三部分 晶体管及结特性的基本公式 39
第四部分 高频大功率晶体管设计考虑 41
1．高频大功率晶体管设计程序 41
2．高频大功率晶体管各种设计图形所对的工艺参数要求 41
3．高频大功率晶体管的设计考虑 43
4．高频大功率晶体管图形设计标准 43
5．晶体管参数相互关系 44
第五部分 晶体管基本特性（参考） 45
第六部分 晶体管参数及其他符号说明 48
第七部分 氧化、硼、磷、砷、锑、金扩散及离子注入 49
1．氧化 49
2．硅中的杂质扩散 62
3．硼扩散 67
4．磷扩散 73
5．砷扩散 77
6．锑扩散 80
7．金在硅中的扩散 83
8．离子注入 86
9．方块电阻的测量 89
10．结深的测量 91
11．电子和空穴在硅中的特性 93
12．硅的杂质扩散分布曲线 96
13．p—n结的一些特性 110
第八部分 晶体管及集成电路测试原理 116
1．晶体管参数测试 116
2．场效应晶体管（MOS）的参数测试 122
3．集成电路的测试 125
第九部分 各国半导体器件型号命名方法 135
1．国产半导体器件型号命名法 135
2．日本 137
3．美国 137
4．英国 138
5．法国 139
6．西德 139
7．西欧（英、西德、荷、比等国）联合体系命名法 140
8．苏联 140
第十部分 各种图表及其他 143
1．面积换算表 143
2．体积换算表 143
3．长度换算表 144
4．质量换算表 145
5．容量换算表 145
6．时间换算表 146
7．电流换算表 146
8．电压换算表 146
9．电容换算表 146
10．物理常数表 147
11．能量换算因子 150
12．各种杂质在硅中的分凝系数 150
13．分贝换算表 151
14．无线电波段、频率范围分类对照表 154
15．常用数学常数表 154
16．各种气瓶标志 154
17．化学元素周期表 155
18．各种金属的蒸发温度 156
19．热电偶种类及使用的温度范围 156
20．常用器皿的清洁处理 156
21．石英玻璃一些主要性能比较 157
22．露点温度与含水量对照表 158
23．铂—铂（90％）铑（10％）热电偶的温度—毫伏当量表 160