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半导体器件的可靠性  第4集
  • 作 者:中国科学技术情报研究所重庆分所编辑
  • 出 版 社:北京:科学技术文献出版社;重庆分社
  • 出版年份:1977
  • ISBN:15176·132
  • 标注页数:99 页
  • PDF页数:102 页
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目 录 1

电子学中的电迁移和失效:引言 1

失效分析(综述) 9

SiO2膜中的电击穿机理 11

使用俄歇能谱学和其它先进分析技术来分析微电子材料 20

采用质子束对表面的分析 23

用电子探针微分析器对半导体的观察 29

互连和微型接头的无损测试(总结报告) 37

利用扫描电子显微镜测量p-n结深度 51

扫描电子显微镜在半导体器件中的应用 53

扫描电子显微镜在半导体器件的薄膜研究中的应用 68

离子微探针在半导体失效分析中的应用 73

硅中电活性杂质沉积缺陷的电子显微镜研究 75

中规模集成数字逻辑阵列 87

限制大规模集成电路性能和可靠性的材料和界面因素 89

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