- 作 者：北京市可关断可控硅会战组编
- 出 版 社：北京市可关断可控硅会战组
- 出版年份：1972
- ISBN：
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目录 1
概述 1
一、可关断可控硅工作原理和结构特点 3
1-1．可关断可控硅工作原理 3
1-2．结构特点 5
1-2-1．厚的n基区和较薄的ρ基区 5
1-2-2．较小的阴极宽度 5
二、可关断可控硅主要参数，基本结构和 8
工艺路线的选择 8
2-1．关断增益对α1和α2提出的要求 8
2-2．耐压对材料和结构提出的要求 10
2-3．基本结构 16
三、可关断可控硅工艺原理和工艺过程 20
3-1．工艺流程 20
3-2．硅片研磨和抛光 21
3-3．扩镓 22
3-3-1．杂质源的选取和制造 22
3-3-2．扩散温度和时间的选择 23
3-3-3．工艺过程 25
3-4．氧化 26
3-4-1．氧化层（SiO2）的厚度和氧化条件的选择 26
3-4-2．氧化工艺过程 27
3-5．一次光刻 28
3-5-1．光刻胶的配制 28
3-5-2．光刻 29
3-6．扩磷 30
3-6-1．扩散方法和杂质源 30
3-6-2．工艺过程 33
3-7-2．工艺过程 34
3-7．重金属杂质的吸收 34
3-7-1．吸收目的 34
3-8．扩金 35
3-8-1．扩金的原理和目的 35
3-8-2．工艺过程 35
3-9．烧阳极欧姆结 36
3-10．蒸铝 37
3-11．二次光刻（反刻铝） 37
3-12．控制极——阴极结的腐蚀和合金化 38
3-13．磨角、腐蚀和表面保护 38
3-14．焊接和密封 39
四、可关断可控硅的测试 40
4-1．中间测试 40
4-2-1．线路原理 45
4-2．动态特性 45
4-2-2．试验结果 55
4-2-2-1．频率（f）与关断增益（Boff）的关系 55
4-2-2-2．控制极脉冲与动态参数的关系 57
4-2-2-3．占空系数η与关断电流， 59
关断增益的关系 59
4-2-2-4．关断增益与阳极电流的关系 59
4-2-2-5．关断电流IA与电源电压的关系 61
4-2-2-6．温度与关断电流IA的关系 62
4-2-2-7．正向电压上升率 62
五、（附录一）可关断可控硅的功率损耗 65
六、（附录二）可关断可控硅技术标准（暂定） 70
七、（附录三）5A可关断可控硅零部件规格图册 77
八、（附录四）10A可关断可控硅零部件规格图册 84