- 作 者：恽正中等编
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1981
- ISBN：
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目 录 2
第一篇半导体 2
第一章半导体物理基础 2
§1-1本征半导体和杂质半导体 2
§1-2平衡时电子和空穴的统计分布 9
§1-3载流子的迁移现象和霍耳效应 19
§1-4非平衡载流子 33
§1-5 P-N结 45
§1-6热电子效应 56
第二章氧化物半导体 61
§2-1典型氧化物的结构 61
§2-2氧化物半导体的化学计量比偏移和杂质缺陷 65
§2-3氧化物半导体的点缺陷理论 69
§2-4极化子理论 86
§2-5某些氧化物的能带结构和电导 90
第二篇 固体的表面和界面 100
第三章表面与界面的原子过程 100
§3-1表面热力学 100
§3-2表面与界面的原子结构 103
§3-3表面吸附 113
§3-4表面扩散和界面扩散 117
第四章表面与界面的电子过程 129
§4-1功函数与表面电子态 129
§4-2表面与界面的电子发射 132
§4-3界面接触效应 135
第三篇薄膜物理 146
第五章薄膜的形成和结构 146
§5-1核的形成 146
§5-2膜的生长 152
§5-3关于薄膜结构的一些问题 159
第六章薄膜的力学性质 170
§6-1薄膜的附着力 170
§6-2附着力的来源 172
§6-3薄膜中的内应力 177
§6-4淀积参数对薄膜内应力的影响 184
第七章薄膜的电导 191
§7-1金属膜的电导 191
§7-2金属陶瓷薄膜的电导 207
§7-3介质膜的电导 215
第八章金属薄膜中的电迁移 223
§8-1薄膜中的电迁移现象 223
§8-2电迁移和薄膜电路失效的关系 226
§8-3增强薄膜导电带抗电迁移能力的一些措施 229
第九章介质膜的电气特性 232
§9-1介质膜的结构特征 232
§9-2介质膜的直流电导 236
§9-3介质膜的介电系数 240
§9-4介质膜的交流电导与损耗 247
§9-5介质膜的击穿 256
§ 9-6金属——介质夹层中的现象 266