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- 作 者：刘淑平著
- 出 版 社：北京：兵器工业出版社
- 出版年份：2003
- ISBN：7801721187
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第1章Ge、 Si的晶体结构 1
Ge、 Si的晶体结构 1
晶向和晶面 7
锗硅晶体的各向异性 17
第2章 GeSi异质结及超晶格的基本特性 24
GeSi应变层的临界厚度及超晶格的稳定性 24
GeSi合金的折射率的计算 30
GeSi合金的等离子色散效应 31
第3章 PN结 34
PN结 34
过渡区的电势分布和结电容 36
PN结的电流—电压特性 41
PN结的击穿现象 50
第4章 半导体工艺 59
扩散 59
氧化技术原理 70
物理气相淀积（PVD）和化学气相淀积（CVD） 81
第5章 光波导器件 84
三层平面波导的基本理论 84
有效折射率的数值解法 90
SOI光波导的有效折射率的计算及其波导层厚度的设计 92
GeSi／Si异质结平面光波导的光场分析与设计 98
第6章 光电探测器 106
Ge0.Si0.4／Si应变超晶格光电探测器的光场分析与设计 106
P-Ge0.05Si0.95／P-Si及Ge0.6Si0.4／Si SLS探测器的制作 113
P-Ge0.05Si0.95／P-Si异质结及GeSi／Si SLS探测器的测试与分析 118
参考文献 122