光电材料及光波导探测器的设计与研制

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第1章Ge、 Si的晶体结构 1

Ge、 Si的晶体结构 1

晶向和晶面 7

锗硅晶体的各向异性 17

第2章 GeSi异质结及超晶格的基本特性 24

GeSi应变层的临界厚度及超晶格的稳定性 24

GeSi合金的折射率的计算 30

GeSi合金的等离子色散效应 31

第3章 PN结 34

PN结 34

过渡区的电势分布和结电容 36

PN结的电流—电压特性 41

PN结的击穿现象 50

第4章半导体工艺 59

扩散 59

氧化技术原理 70

物理气相淀积（PVD）和化学气相淀积（CVD） 81

第5章光波导器件 84

三层平面波导的基本理论 84

有效折射率的数值解法 90

SOI光波导的有效折射率的计算及其波导层厚度的设计 92

GeSi／Si异质结平面光波导的光场分析与设计 98

第6章光电探测器 106

Ge0.Si0.4／Si应变超晶格光电探测器的光场分析与设计 106

P-Ge0.05Si0.95／P-Si及Ge0.6Si0.4／Si SLS探测器的制作 113

P-Ge0.05Si0.95／P-Si异质结及GeSi／Si SLS探测器的测试与分析 118

参考文献 122