- 作 者：王炫华译
- 出 版 社：可靠性与环境试验编辑部
- 出版年份：1979
- ISBN：
- 标注页数：134 页
- PDF页数：139 页
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第一章 半导体器件的可靠性 1
1.1 半导体器件可靠性的特征 1
1.2 半导体器件的失效模式和失效机理 2
1.2.1 失效物理 2
1.2.2 失效模式和失效机理 2
1.3 失效分析 5
1.4 失效分布 7
1.4.1 可靠度函数 7
1.4.2 可靠性的概率分布 7
1.5 失效率预计 11
第二章 半导体器件可靠性试验方法 20
2.1 失效判据 20
2.1.1 失效判据的考虑 20
2.1.2 失效判据举例 20
2.1.2.1 晶体管的失效判据 20
2.1.2.2 数字集成电路的失效判据 21
2.1.2.3 线性集成电路的失效判据 22
2.2 可靠性试验方法 22
2.2.1 可靠性试验 22
2.2.2 可靠性试验方法 23
2.2.3 筛选 31
2.3 加速寿命试验方法 33
2.3.1 加速寿命试验的基本想法 33
2.3.2 加速寿命试验示例 34
2.4 可靠性的抽样检验 41
2.4.1 抽样检验方法 41
2.4.2 失效率置信度的求法 42
第三章 半导体器件的质量保证 43
3.1 对质量和可靠性的考虑 43
3.2 半导体器件的可靠性设计 43
3.2.1 可靠性指标 43
3.2.2 可靠性设计的方法 43
3.2.3 设计评价 45
3.3 半导体器件的质量保证系统 46
3.3.1 质量保证活动 46
3.3.2 质量鉴定 46
3.3.3 批量生产的质量和可靠性管理 46
3.3.3.1 材料、零件的质量管理 48
3.3.3.2 生产线上的质量管理 48
3.3.3.3 成品检验及可靠性保证 50
3.3.4 出厂后的失效处理 50
3.3.5 可靠性数据的收集 51
第四章 半导体器件的可靠性 53
4.1 半导体器件的可靠性设计及生产工艺的特点 53
4.1.1 表面钝化技术 53
4.1.2 蒸电极及装架技术 54
4.1.3 封装技术 55
4.1.4 其他技术 55
4.2 硅二极管的可靠性 56
4.2.1 结构 56
4.2.2 可靠性数据 56
4.2.3 使用硅二极管应注意的事项 61
4.3 硅小信号晶体管的可靠性 61
4.3.1 结构 61
4.3.2 可靠性数据 64
4.3.3 使用硅小信号晶体管应注意事项 64
4.4 硅大功率晶体管的可靠性 66
4.4.1 结构 66
4.4.2 可靠性数据介绍 70
4.4.3 使用硅大功率晶体管应注意的事项 72
4.5 线性集成电路的可靠性 74
4.5.1 线性集成电路的结构 74
4.5.2 可靠性数据 76
4.5.3 使用线性集成电路应注意的事项 79
4.6 TTL电路的可靠性 84
4.6.1 结构 84
4.6.2 可靠性数据 86
4.6.3 使用TTL电路应注意事项 90
4.7 MOS大规模集成电路的可靠性 90
4.7.1 结构 90
4.7.2 可靠性数据 91
4.7.3 使用MOS大规模集成电路应注意的事项 93
4.8 IC存储器的可靠性 95
4.8.1 结构 95
4.8.2 可靠性数据 97
4.8.3 使用IC存储器时应注意的事项 102
第五章 使用半导体器件应注意的事项 104
5.1 半导体器件的选择 104
5.1.1 最大额定值 104
5.1.1.1 晶体管及二极管的最大额定值 104
5.1.1.2 集成电路的最大额定值 104
5.1.1.3 降额措施的考虑 107
5.1.2 封装的选择 107
5.2 机械操作上应注意的事项 111
5.2.1 引线成形和切断 111
5.2.2 器件在印制电路板上的安装 112
5.2.3 焊接 112
5.2.4 清洗 114
5.2.5 散热板的安装 114
5.2.6 器件的排列 118
5.3 电路安装方面应注意的事项 121
5.3.1 总的注意事项 121
5.3.2 防止噪声和浪涌电压的措施 121
5.3.2.1 噪声的种类 122
5.3.2.2 噪声源与信号线的耦合 122
5.3.2.3 消除噪声的措施 123
5.3.2.4 防止浪涌电压的措施 124
5.3.3 特性参数与可靠性的关系 125
5.4 其他注意事项 129
5.4.1 半导体器件的贮存方法 129
5.4.2 运输方面应注意的事项 129
5.4.3 测量和操作方面应注意的事项 131
附录 半导体器件有关的可靠性标准一览表 133