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高技术污染
  • 作 者:(日)吉田文和著;张坤民,周北海译
  • 出 版 社:北京:中国环境科学出版社
  • 出版年份:1998
  • ISBN:7801355075
  • 标注页数:161 页
  • PDF页数:172 页
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目 录 1

第一章“一种新污染”的产生 1

——费尔柴尔德事件 1

第二章硅谷发出警告 8

2.1高技术污染的“发达地区” 8

2.2严重的地下水污染 12

2.3充满危险的硅谷 21

2.4对工作人员的影响 29

3.1美国的环境保护运动 39

第三章为净化污染所采取的行动 39

3.2政府的行政措施 44

3.3工业界的相应措施 53

3.4从硅谷可以学到些什么 60

第四章半导体工业的实际状况 64

4.1半导体工业的特点 64

4.2尖端技术同环境问题之间的关系 70

4.3半导体工厂的物料平衡 72

4.4有机溶剂 73

4.5有机溶剂的问题 76

4.6氟利昂的问题(CFCs) 78

4.7有毒气体 83

4.8砷化镓 91

4.9高技术污染的经济学问题 93

第五章日本的高技术污染 97

5.1 君津市东芝元件工厂的地下水污染 97

5.2全日本蔓延的地下水污染 104

5.3东芝公司太子工厂——日本最早确认的高技术污染实例 108

5.4面对地下水污染危机的熊本 115

5.5 以半导体工厂排水作为水源的宫崎市 120

5.6多摩河沿岸的地下水污染 125

第六章如何保护环境 131

6.1化学品的法律规定 131

6.2要求写明全部使用物质的《公害防治协定》——北上市和岩手东芝电子公司 138

6.3排水闭路循环和控制有毒气体的《公害防治协定》——馆山市和HMB(日铁)半导体公司 142

6.4高技术污染的防治 147

后记 151

参考文献 154

原书作者简介 158

译者简介 159

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