- 作 者：清华大学微电子学研究所编
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1984
- ISBN：15031·605
- 标注页数：314 页
- PDF页数：317 页
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目录 1
MOS大规模集成技术的进展 1
MOS技术用于模拟集成电路的潜力 35
超大规模集成电路对微处理器发展、应用和系统设计的影响 48
超大规模集成技术向长途通信系统提出的挑战 62
用于电话学中的集成电路 70
100ns单5V电源64K×1MOS动态RAM 100
容错的64K动态随机存取存贮器 111
一种用钼－多晶硅工艺制做的容错的256KRAM 125
一种30ns16K×1全静态RAM 135
一种容错30ns/375mW16K×1NMOS静态RAM 141
具有新的存贮单元结构的一种2K×8位静态MOSRAM 154
用NMOS/N阱CMOS工艺制造的8K×8位静态MOSRAM 163
1μmMOSFET超大规模集成电路工艺——逻辑电路设计方法及其应用 174
采用准通用符号FET宏模型及功能潜伏的宏模拟 194
大规模集成电路的模拟技术 204
掩模图形的图形运算方法 215
用于形状任意设计的积木块的布局算法 226
一个综合的掩模图形分析系统 237
超大规模集成电路的拓扑逻辑分析 249
MIXS：一个大型数字系统逻辑校验用的混合级模拟程序 266
完整的超大规模集成电路设计系统 281
SHARPS：一个用于超大规模集成电路的分级版图设计系统 294
一个纵向组织的计算机辅助设计数据库 306