半导体物理实验

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实验一　锗的霍耳系数和电导率的测量 1

目录 4

序 4

实验二　锗的温差电动势率的测量 12

实验三　用非稳定态方法测量硫化铅的热导率 19

实验四　锗中少数载流子的扩散长度、寿命和漂移迁移率的测量 30

实验五　用光注入法测量少数载流子的扩散长度 43

实验六　半导体光电实验的前言 51

实验七　氧化亚铜的吸收光谱 62

实验八　氧化亚铜的光电导的光谱分布 65

实验九　氧化亚铜光电导载流子弛豫时间的测量 70

实验十　硒光电池的制造和测量 74

实验十一　锗的光磁效应和非平衡载流子复合寿命的测量 82

实验十二　电致发光现象的观察 88

实验十三　磷光体的加热发光 101

实验十四　半导体整流效应的介绍 107

实验十五　用零压电阻的方法测量整流器的势垒 115

实验十六　整流器电容的测量 119

实验十七　晶体三极管特性的介绍 123

实验十八　晶体三极管低频小讯号参数的测量 133

实验十九　晶体三极管的频率特性 140

实验二十　点接触型三极管的负阻特性 145