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- 作 者：北京椿树整流器厂，张国忠
- 出 版 社：天津：天津科学技术出版社
- 出版年份：1983
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目录 1
第一章 半导体物理基础 1
§1-1 半导体 1
§1-2 半导体中的能带 4
§1-3 半导体中的载流子 11
§1-4 费米能级 15
§1-5 非平衡载流子 20
§1-6 载流子的输运 28
§1-7 半导体表面 43
§1-8 晶格和缺陷 47
复习题一 56
第二章 PN结 58
§2-1 PN结 58
§2-2 PN结的电流—电压特性 61
§2-3 空间电荷区中的复合—产生电流 69
§2-4 空间电荷区的电场和宽度 73
§2-5 PN结的击穿 86
§2-6 PN结的电容效应 93
§2-7 金属—半导体接触 97
复习题二 101
第三章 晶体管原理 103
§3-1 晶体管的电流放大特性 103
§3-2 晶体管的反向电流与击穿电压 117
§3-3 晶体管的频率特性 122
§3-4 晶体管的大电流和功率特性 131
§3-5 晶体管的开关特性 140
复习题三 153
第四章 场效应晶体管 155
§4-1结型场效应晶体管 155
§4-2 MOS场效应晶体管 161
复习题四 169
附录 170
一、室温（300K）下硅、锗、砷化镓及二氧化硅的主要性质 170
二、硅、锗电阻率与杂质浓度的关系 171
三、常用的物理常数 171
四、半导体器件型号命名方法 172