- 作 者：（英）豪斯（M.J.Howes），（英）摩根（D.V.Morgan）编；潘瑞成，吴荣元译
- 出 版 社：南京：江苏科学技术出版社
- 出版年份：1982
- ISBN：15196·084
- 标注页数：289 页
- PDF页数：293 页
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目录 1
第一章 微波固态器件的发展M.J.HowesandD.V.Morgon 1
1.1引言 1
1.2微波器件 1
1.3微波固态器件 2
第二章 转移电子器件LesterF.Eastman 8
2.1引言 8
2.2转移电子效应的物理基础 8
2.3工作模式 12
2.4材料的外延生长及处理 19
2.5器件的极限性能 24
2.6器件的其他特性 27
第三章 雪崩与势垒注入器件PeterWeissglas 30
3.1概述 30
3.2半导体中的基本强场现象 32
3.3假想的单极速度饱和二极管动态特性 35
3.4雪崩渡越二极管 39
3.5BARITT二极管 55
3.6TRAPAT二极管 63
3.7制造工艺 69
第四章 微波晶体管J.S.Lamming 80
4.1引言 81
4.2微波双极晶体管 82
4.3场效应晶体管 111
4.4低噪声晶体管 119
4.5功率晶体管 125
4.6制造工艺 134
4.7几点注记 137
第五章 微波固态振荡器电路K.Kurokawa 147
5.1理论 147
5.2振荡器的实际电路 163
5.3测试 182
第六章 微波放大器电路考虑H.W.ThimandW.Hayd 191
l6.1引言 191
6.2高频放大器的一般特性 191
6.3转移电子（耿氏）放大器 193
6.4BARITT放大器 212
6.5雪崩注入放大器 214
6.6TE、BARITT和IMPATT放大器性能比较 218
第七章 微波固态器件的应用I.W.Mackintosh 226
7.1引言 226
7.2功率器件 227
7.3微波接收机 231
7.4通讯系统中的微波固态器件 240
7.5雷达系统中的微波固态器件 250
7.6二次雷达与微波控制 263
7.7相控阵 265
7.8微波测量与宽带元件 270