- 作 者：（日）西泽润一编；杨世良，林觯译
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1988
- ISBN：7030004140
- 标注页数：342 页
- PDF页数：348 页
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目录 1
第一章 微细器件存在的问题 1
1.1前言 1
1.2微细器件 2
1.3微小化器件 25
1.4微小化器件的方向 28
参考文献 29
第二章 多晶硅和半绝缘多晶硅 31
2.1前言 31
2.2膜的生长与加工 32
2.3膜的性质 36
2.4钝化 44
2.5异质结晶体管 52
2.6结束语 59
参考文献 59
3.1前言 62
第三章 金属硅化物的生成与存在的问题 62
3.2金属硅化物的（固相反应）生成 65
3.3硅化物的生成机理 79
3.4硅化物和肖特基势垒 92
3.5结束语 97
参考文献 98
第四章 利用光致发光法评价硅晶体的性能 100
4.1前言 100
4.2硅晶体的光致发光 102
4.3利用光致发光评价晶体 110
4.4高纯度晶体中残留杂质的评价 121
4.5热处理硅晶体的评价 127
4.6中子掺杂晶体的评价 138
4.7后记 145
附录 新的杂质量检定线及其应用 146
参考文献 151
第五章 干法工艺 156
5.1前言 156
5.2不包括腐蚀的干法工艺 157
5.3干法腐蚀 166
5.4结束语 186
参考文献 187
第六章 等离子化学汽相淀积技术 189
6.1前言 190
6.2等离子CVD技术 190
6.3等离子氮化硅膜的基本特性 201
6.4最近的等离子CVD技术 231
6.5其他的等离子CVD技术 238
6.6等离子CVD技术的课题 239
参考文献 239
第七章 低能量化的系统大规模集成电路 242
7.1前言 242
7.2数字电路的设计 243
7.3系统的性能 245
7.4集成化结构和大规模集成电路技术的特点 247
7.5系统大规模集成电路 249
7.6计算机－通信系统 257
7.7低能量化的方向 258
参考文献 260
第八章 今后的抗蚀剂材料 261
8.1前言 261
8.2抗蚀剂材料的物理化学性质 261
8.3抗蚀剂材料的现状 272
8.4未来的抗蚀剂材料 286
补遗 292
参考文献 293
第九章 今后的曝光技术 299
9.1前言 299
9.2曝光技术概述 300
9.3电子束曝光装置 302
9.4复制装置 326
9.5后记 340
参考文献 341