硅器件技术新进展

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目录 1

硅片加工工艺学：切片，腐蚀，抛光 1

硅鉴定技术的趋向 10

扫描超声显微镜 14

硅工艺中红外光测弹性测量的应用 18

硅中的氧 22

论硅器件中原始的长入缺陷与加工过程中引入的缺陷及层错的消除 32

不产生晶体缺陷的高浓度扩散 40

浓磷扩散硅片的反常弯曲分析 50

用双层源改进硅的高浓度砷扩散 56

使用高压电子显微镜（HVEM）研究硅器件晶格缺陷的优点 61

硅片上由多晶硅薄膜引起的周期性应力场影响下的位错结构 67

CVD硅外延膜中堆垛层错核化和生长机理 73

双极型晶体管中发射区“管道”的由来和发展 81

硅微电子学中的物理限制 88

用稳态和瞬态的结电容和电流的方法探测半导体中的缺陷和杂质中心 93

集成电路工序的工程模型及其应用 106

新时代的集成电路工厂——概貌 113

大规模集成电路制造中场效应晶体管器件参数的模拟方法 121

在双极型集成电路的设计和工序控制中注入和扩散模型方法的最新进展 128

高频晶体管和集成电路的新工艺方法 139

用离子注入氧化隔离方法制成的肖特基TTL的特性 147

在等离子体腐蚀中用光发射谱进行终点探测 153

采用微波激发的长寿命活性物质的一种干法腐蚀工艺 161