- 作 者：徐传骧主编
- 出 版 社：北京：机械工业出版社
- 出版年份：1981
- ISBN：1533·5172
- 标注页数：206 页
- PDF页数：210 页
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目录 1
编者的话 1
第一章 导言 1
一、研究高压硅半导体器件的耐压与表面绝缘技术的意义 1
二、影响硅半导体器件耐压及稳定性的主要因素 5
第二章 高压硅半导体器件的体内耐压 8
一、半导体P-N结的形成和基本特性 8
二、P-N结空间电荷区的电场分布 17
三、P-N结的击穿 31
四、高压硅整流管的结片结构与耐压设计 49
五、硅晶闸管的耐压设计 56
第三章 高压硅半导体器件的表面电场与表面耐压 79
一、P-N结的表面击穿与表面电场 79
二、整流管与晶闸管的表面造型 86
三、表面电场与表面空间电荷区的测量方法 94
四、表面电场分布的近似计算方法 98
五、表面耐压的温度特性 106
第四章 高压硅半导体器件的表面放电 111
一、气体击穿的基本实验规律 111
二、气体击穿机理——碰撞电离理论 116
三、高压硅半导体器件管壳内部气体放电的产生与改善措施 123
第五章 高压硅半导体器件的漏电流 128
一、P-N结反向漏电流理论 128
二、硅整流管反向漏电流的测试与分析 140
三、影响硅整流管表面漏电流因素的分析 149
四、硅晶闸管的漏电流 157
第六章 高压硅半导体器件的表面处理与表面保护 159
材料 159
一、硅半导体器件表面的腐蚀与清洗 159
二、表面保护的要求和几种保护方法 165
三、有机保护材料的结构、性能与使用工艺 177
四、保护材料对硅半导体器件电性能的影响 191
附录 漏电流中ID、Ig分量的分解 200
参考文献 202