- 作 者：罗晋生主编
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1980
- ISBN：
- 标注页数：127 页
- PDF页数：133 页
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第一章 离子注人装置 1
§1.1离子注入装置的结构 1
目录 1
§1.2离子源 2
§1.3分析器 12
§1.4偏转扫描 13
§1.5注入剂量的测定 16
附录 离子注入用主要气体源的性质 17
§2.2入射离子在固体中的减速过程 20
第二章 注人离子的射程分布 20
§2.1射程、投影射程及标准偏差 20
§2.3非晶靶的射程分布理论 27
§2.4沟道运动及单晶靶中射程分布 37
§2.5射程分布理论的应用 44
附录 两粒子碰撞的散射角 49
第三章 离子注入的损伤和退火效应 54
§3.1离子注入引起的损伤 54
§3.2离子注入损伤的分布 59
§3.3热退火效应 63
§3.4其他退火方式 68
§3.5增强扩散 71
第四章 化物半导体中的离子注人 75
§4.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的离子注入 75
§4.2半绝缘GaAS中的离子注入 86
§4.3GaA3中的质子注入和O+注入 87
§4.4其他化合物半导体中的离子注入 89
第五章 测量技术 92
§5.1背散射测量 92
§5.2放射性活化分析 97
§5.3微分薄层电阻率法 100
§5.4霍耳效应测量法 102
§5.5电容电压法 104
第六章 离子注人技术在器件中的应用 108
§6.1离子注入技术的特点 108
§6.2离子注入技术在MOS器件中的应用 109
§6.3离子注入技术在双极器件中的应用 116
§6.4在其他器件中的应用 122
§6.5离子注入技术在金属方面的应用 125