- 作 者：黄汉尧，李乃平编
- 出 版 社：上海：上海科学技术出版社
- 出版年份：1985
- ISBN：15119·2449
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目录 1
绪论 1
第1章 衬底制备 4
§1-1 衬底材料 4
1．对衬底材料的要求 4
2．衬底单晶材料的制备 5
3．杂质缺陷对器件工艺质量的影响 8
4．多晶硅的结构性质 15
§1-2 衬底制备 16
1．晶体定向 17
2．晶片加工 22
第2章薄膜制备 28
§2-1 硅外延薄膜制备的原理 28
1．外延生长动力学原理 28
2．外延掺杂及其杂质再分布 36
3．堆垛层错 40
4．氯化氢气相抛光 43
5．自掺杂效应 45
6．低压外延 48
§2-2 二氧化硅薄膜 54
1．SiO2膜的结构和性质 54
2．热生长氧化膜的制备 56
3．实现掩蔽扩散的条件 65
4．氧化层错 67
§2-3 薄膜的化学气相淀积 70
1．常压化学气相淀积法 71
2．低压化学气相淀积法 77
3．等离子增强化学气相淀积法 79
4．分子束外延 82
第3章 掺杂技术 92
§3-1 扩散 92
1．杂质原子的微观扩散机构及其宏观描述 92
2．扩散层杂质原子的浓度分布 94
3．硅器件生产中的两步扩散工艺 97
4．扩散层质量参数 99
5．扩散条件的选择 107
6．理论分布与实际分布的差异 110
7．金扩散 115
§3-2 离子注入掺杂 117
1．离子注入设备 118
2．注入离子的浓度分布 120
3．晶格损伤与退火 134
§3-3 合金法 140
1．合金pn结的制作原理 140
2．合金pn结的结深 141
3．合金条件的考虑 142
第4章 图形加工技术 147
§4-1 光致抗蚀剂 147
1．光致抗蚀剂的结构性质 147
2．光致抗蚀剂的种类和感光机理 147
3．对光致抗蚀剂性能的要求 150
§4-2 光掩模 152
1．原图数据的产生 152
2．图形的产生 153
3．掩模图形的形成 155
4．特殊光掩模的制作技术 157
§4-3 光刻蚀技术 157
1．光致抗蚀剂膜层图形的形成 158
2．腐蚀 165
第5章 可靠性基本原理与失效分析 171
§5-1 可靠性的基本参量 171
1．可靠度 171
4．瞬时失效率 172
3．失效密度函数（失效密度） 172
2．累积失效概率 172
5．平均寿命 173
§5-2 半导体器件失效规律及常用寿命分布 173
1．半导体器件失效规律 173
2．常用寿命分布 174
§5-3 可靠性试验 178
1．加速寿命试验 179
2．可靠性筛选 183
§5-4 抽样检验 187