硅中缺陷与器件质量半导体材料学进展译文集

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目录 1

硅材料特性和器件功能之间的关系 1

硅衬底中的缺陷 13

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅰ．磷扩散诱生失配位错 39

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅱ．Si3N4工艺 46

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅲ．缺陷腐蚀坑与P-N结漏电流的关系 55

硅中氧化诱生堆垛层错一、成核现象 63

硅中氧化诱生堆垛层错二、在P-N结二极管中的电效应 77

硅中硅氧化物的非均相沉淀 98

退火硅表面的堆垛层错 109

硅器件中工艺诱生缺陷和软P-N结之间的关系 117

硅片退火对环状缺陷产生的影响 122

堆垛层错对场效应管器件漏电流的影响 133

硅光导型摄象管中晶格缺陷引起的图象损坏 138

吸收和位错 146

显示〈100〉硅晶体缺陷的化学腐蚀的比较 155

显示硅单晶中缺陷的一种新的择优腐蚀液 163

封闭舟：一种硅片成批处理的新方法 171

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