- 作 者：王国立著
- 出 版 社：北京：人民邮电出版社
- 出版年份：2018
- ISBN：9787115487063
- 标注页数：185 页
- PDF页数：193 页
请阅读订购服务说明与试读!
订购服务说明
1、本站所有的书默认都是PDF格式，该格式图书只能阅读和打印，不能再次编辑。
2、除分上下册或者多册的情况下，一般PDF页数一定要大于标注页数才建议下单购买。【本资源193 ≥185页】
图书下载及付费说明
1、所有的电子图书为PDF格式，支持电脑、手机、平板等各类电子设备阅读；可以任意拷贝文件到不同的阅读设备里进行阅读。
2、电子图书在提交订单后一般半小时内处理完成,最晚48小时内处理完成。(非工作日购买会延迟)
3、所有的电子图书都是原书直接扫描方式制作而成。
第1章 I/O Library介绍 1
1.1 I/O Library的特征 1
1.2 I/O Library的设计流程 4
1.3 研究工艺的特点 5
1.4 设计测试芯片 6
1.5 ESD测试模块 7
第2章 ESD——I/O Library的第一道墙 11
2.1 ESD现象 11
2.2 半导体芯片中的ESD失败现象 12
2.3 电路可靠性—ESD测试模型 16
2.4 ESD标准测试模型的测试组合 25
2.5 ESD标准测试模型的测试误差 28
2.6 输入／输出管脚ESD器件的设计和布局 29
参考文献 75
第3章 闩锁和保护环 77
3.1 闩锁的机理 77
3.2 防止闩锁的方法 79
3.3 Latch-up的测试方法 88
参考文献 94
第4章 I/O电路设计 95
4.1 通用型I/O数据规范和设计 95
4.2 传输线现象 96
4.3 GPIO的输出模块 100
4.4 GPIO的输入模块 114
4.5 模拟输入信号 117
4.6 混合电压输入／输出电路 120
4.7 高压容忍电路中的输入／输出电路 125
4.8 输出电路的布局 128
4.9 I/O的电源线分布 132
4.10 Bond PAD的位置和布局 134
4.11 内核面积决定化和PAD面积决定化 136
参考文献 139
第5章 高速I/O电路 141
5.1 电路补偿 141
5.2 DDR 146
5.3 LVDS 150
参考文献 154
第6章 I/O Library的模型 155
6.1 综合模型 155
6.2 行为模型 169
6.3 IBIS模型 171
参考文献 181
结束语 183