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- 作 者：北京大学物理系，半导体物理教研室编
- 出 版 社：北京：人民教育出版社
- 出版年份：1961
- ISBN：K13010·814
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第一章 锗和硅的化学制备 1
§1.锗的资源 2
§2.锗的富集和制取 3
§3.硅的资源和制取 8
§4.硅的化学提纯 9
第二章 锗、硅的区域提纯 20
§5.分凝现象 21
§6.正常凝固 27
§7.区域提纯原理 35
§8.锗的区域提纯 44
§9.硅的区域提纯 58
第三章 锗、硅单晶制备 69
§10.单晶的生长 70
§11.锗单晶的制备 75
§12.硅单晶的制备 92
§13.影响单晶生长的因素 97
§14.单晶生长中杂质的分布与控制 102
§15.单晶中的缺陷 126
第四章 材料的测试 135
§16.用热探针测量半导体的导电类型 137
§17.电阻率的测量 139
§18.霍尔系数的测量 148
§19.寿命的测量 153
§20.用劳埃相的方法确定晶向 169
§21.位错的观察 178
附录 181
参考文献 186