- 作 者：陆大成，段树坤著
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：2009
- ISBN：9787030238450
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前言 1
第1章 绪论 1
1.1 外延生长 1
1.2 MOVPE概述 5
参考文献 8
第2章 MOVPE生长系统 10
2.1 MOVPE气体输运分系统 11
2.2 MOVPE生长反应室分系统 15
2.3 MOVPE尾气处理分系统 26
2.4 MOVPE生长控制装置分系统 27
2.5 MOVPE外延层生长的原位监测 28
参考文献 34
第3章 原材料 37
3.1 金属有机化合物源 37
3.2 氢化物源 50
参考文献 56
第4章 MOVPE的热力学分析 59
4.1 外延生长速度的限制机构 59
4.2 MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系 60
4.3 MOVPE生长相图与单凝聚相生长区 75
4.4 掺杂 82
参考文献 83
第5章 MOVPE化学反应动力学和质量输运 86
5.1 MOVPE化学反应动力学 86
5.2 MOVPE反应室内的输运现象与模型化 96
5.3 MOVPE化学反应-输运模型的应用 106
参考文献 119
第6章 MOVPE的表面过程 123
6.1 表面成核 123
6.2 外延生长模式 125
6.3 MOVPE环境下的表面再构 133
6.4 表面活性剂 143
参考文献 145
第7章 Ⅲ-V族半导体材料的MOVPE生长 148
7.1 GaAs及其固溶体的MOVPE生长 148
7.2 InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长 170
7.3 锑化物的MOVPE生长 184
7.4 氮化物的MOVPE生长 192
7.5 选择外延生长和非平面衬底上的外延生长 225
7.6 Si、Ge上Ⅲ-V族半导体的MOVPE生长 232
参考文献 236
第8章 Ⅱ-VI族半导体材料的MOVPE生长 248
8.1 ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长 249
8.2 ZnO及其固溶体的MOVPE生长 255
8.3 HgCdTe的MOVPE生长 261
参考文献 266
第9章 低维半导体材料的MOVPE生长 270
9.1 量子阱结构的MOVPE生长 271
9.2 量子点和量子线结构的生长 283
参考文献 292
第10章 MOVPE技术在半导体器件方面的应用 295
10.1 发光二极管 295
10.2 激光器 306
10.3 太阳能电池 324
10.4 半导体光探测器 333
10.5 高电子迁移率场效应晶体管 338
10.6 异质结双极晶体管 345
10.7 光电集成电路 350
参考文献 354
后记 360