- 作 者：李效白编著
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1998
- ISBN：7030060822
- 标注页数：517 页
- PDF页数：529 页
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《微电子学丛书》序 1
第一章 绪言 1
第二章 砷化镓微波场效应管设计 7
2.1 工作原理 7
2.2 电学设计 12
2.3 结构设计 29
2.4 可靠性设计 38
2.5 低噪声FET 50
2.6 又栅FET 56
第三章 砷化镓材料 66
3.1 材料性质 66
3.2 单晶生长 71
3.3 离子注入 79
3.4 气相外延 90
3.5 分子束外延 95
3.6 化学东外延和其它 104
第四章 砷化镓微波场效应管制作工艺 112
4.1 湿法腐蚀 112
4.2 图形光刻 121
4.3 欧姆接触形成 155
4.4 肖特基势垒形成 186
4.5 钝化 194
4.6 干法腐蚀 220
4.7 空气桥和通路孔 242
4.8 装架 252
4.9 质量控制 256
4.10 测试 259
4.11 内匹配 277
第五章 砷化镓微波单片集成电路 299
5.1 概述 299
5.2 设计考虑 303
5.3 集总元件 311
5.4 偏置电路 330
5.5 单片电路制作工艺 333
5.6 微波探针测试系统 339
5.7 侦片修正 345
5.8 放大器 347
5.9 振荡器 356
5.10 混频器和倍频器 364
5.11 移相器 370
5.12 微波开关和衰减器 378
5.13 单片机 385
5.14 毫米波单片电路 387
第六章 管芯和单片封装 394
6.1 微波封装特点 395
6.2 设计考虑 396
6.3 管壳制造设计 405
6.4 管壳制造工艺 409
7.1 引言 416
第七章 砷化镓微波混合集成电路 416
7.2 直流偏置 418
7.3 FET非线性分析 421
7.4 微波设计 427
7.5 放大器 444
7.6 其它电路 452
7.7 管壳封装模块 458
7.8 模块 461
7.9 T/R组件 468
第八章 高电子迁移率场效应管和真空场效应管 476
8.1 二维电子气 476
8.2 材料结构演进 479
8.3 工艺技术要点 485
8.4 毫米波器件和电路举例 491
8.5 传导沟道参数 498
8.6 真空场效应管简述 512