- 作 者：机械工程手册编辑委员会，电机工程手册编辑委员会
- 出 版 社：北京：机械工业出版社
- 出版年份：1978
- ISBN：
- 标注页数：32 页
- PDF页数：36 页
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目录 1
常用符号表 1
第1章 概述 1
1 半导体材料的种类及其应用范围 1
2 半导体材料的导电特性 1
3 半导体材料的晶体结构 4
第2章 硅、锗单晶 5
1 硅、锗单晶的基本参数和要求 5
1.1 导电类型 5
1.2 电阻率和电阻率不均匀度 5
1.3 非平衡少数载流子寿命 6
2 硅、锗单晶中的杂质及其对单晶和器件性能的影响 7
1.7 迁移率 7
1.6 杂质补偿度 7
1.5 位错密度 7
1.4 晶向和晶向偏离度 7
2.1 硅、锗单晶中主要杂质的物理、化学性质及其影响 8
2.2 硅、锗单晶中杂质的能级 9
2.3 硅、锗单晶电阻率和杂质浓度的关系 10
2.4 硅、锗单晶中杂质的扩散系数与温度的关系 11
2.5 硅、锗单晶中杂质的固溶度与温度的关系 13
3 硅、锗单晶中的晶体缺陷及其影响 13
4 硅、锗器件工艺中常用的相图 14
5 单晶片的加工 15
第3章 化合物半导体和固溶体半导体 15
1 砷化镓 18
1.2 砷化镓单晶中的杂质 19
1.1 砷化镓的特性及其应用 19
1.3 镓-砷系统的基本相图和砷化镓单晶种类 20
2 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 21
2.1 磷化镓和磷化铟 21
2.2 锑化铟和砷化铟 22
3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 22
3.1 硫化锌等锌的硫族化合物 22
3.2 硫化镉等镉的硫族化合物 23
4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及碳化硅 23
4.1 硫化铅等铅的硫族化合物 23
4.2 碳化硅 23
5 几种固溶体半导体 23
5.1 镓砷磷和镓铝砷 23
1 导电类型的测定 24
2 电阻率的测量 24
5.2 碲镉汞和碲锡铅 24
第4章 单晶参数的测量和单晶中微量杂质分析 24
5.3 碲锑铋和碲硒铋 24
3 非平衡少数载流子寿命的测量 28
4 杂质补偿度等物理量的测量 29
4.1 霍尔系数及有关物理量的测量 29
4.2 杂质补偿度的测量 29
5 晶体缺陷的观测 31
6 晶向的测定 31
7 单晶中微量杂质分析 31
参考文献 32