- 作 者：赵保经编著
- 出 版 社：北京：科学技术文献出版社
- 出版年份：1984
- ISBN：15176·601
- 标注页数：174 页
- PDF页数：183 页
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目录 1
第一章 电子学发展新阶段 1
一、大规模和超大规模集成电路的诞生 1
二、大规模和超大规模集成电路的涵义 4
三、大规模和超大规模集成电路开创了电子学的新局面 6
四、超大规模集成电路的发展特点 10
第二章 大规模和超大规模集成电路是科学技术发展的迫切需要 14
一、突破中、小规模集成电路的速度极限 14
二、大规模和超大规模集成电路全面刷新了电子设备的指标 18
第三章 大规模和超大规模集成电路是集成技术发展的必然结果 27
一、集成技术发展的主要趋向 27
二、提高加工工艺精度和缩小晶体管图形几何尺寸 29
三、探索新的晶体管结构形式 30
四、扩大芯片面积 31
五、硅片直径的不断增大 33
第四章 大规模和超大规模集成电路的设计思想和结构特点 37
一、设计思想的改变 37
二、电路功耗的考虑 41
三、单元电路的结构设计特点 42
四、向立体结构方向发展 48
第五章 大规模和超大规模集成电路的设计分析手段 53
一、问题的提出 53
二、计算机辅助设计（CAD）的主要内容 55
三、利用计算机分析和设计集成电路 59
第六章 计算机辅助制版 63
一、计算机辅助制版基本原理 64
二、制版程序——软件系统 66
三、图形发生器 70
四、计算机设计制版技术的进一步发展 77
第七章 大规模和超大规模集成电路的工艺与设备特点 80
一、大规模和超大规模集成电路孕育于新工艺、新设备之中 80
二、大规模和超大规模集成电路的工艺与设备特点 86
三、检测设备在大规模和超大规模集成电路制作中的重要性 90
第八章 大规模和超大规模集成电路的工艺基础——精细和超精细加工技术 97
一、精细和超精细加工技术所包含的主要内容 97
二、非接触式曝光技术 100
三、远紫外光曝光技术 108
四、X射线曝光技术 110
五、电子束曝光技术 113
六、离子束曝光技术 117
七、离子束干法蚀刻技术 120
八、精密控制掺杂技术——离子束注入技术 122
九、薄膜生长技术 127
第九章 对材料和制作环境的要求 134
一、硅单晶材料 135
二、超纯水 142
三、超纯气体 145
四、超纯化学试剂和化学品 149
五、超净制作环境 155
第十章 现实与展望 164