- 作 者：北京电子管厂《硅锗单晶的制备》编写小组编
- 出 版 社：燃料化学工业部出版社
- 出版年份：1970
- ISBN：15063·（内419）
- 标注页数：206 页
- PDF页数：214 页
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目录 1
前言 1
引言 1
第一章 直拉法生长硅单晶 8
第一节 单晶生长 8
第二节 杂质在单晶中的分布 11
第三节 设备要求 14
第四节 硅合金的制备 19
第五节 工艺过程 22
第六节 关于参数的讨论 32
第七节 提高重掺锑单晶成品率的讨论 40
第八节 氩气、低真空和高真空拉单晶比较 46
第二章 直拉法生长锗单晶 48
第一节 概述 48
第二节 双层坩埚中拉制锗单晶 50
第三节 锗合金的制备 54
第四节 单晶中杂质的作用及电阻率的均匀性 58
第五节 单晶中的位错及减少的方法 63
第三章 悬浮真空区熔法生长硅单晶 69
第一节 区熔和硅的悬浮区熔 69
第二节 硅的悬浮真空区熔过程 76
第三节 怎样获得单晶 92
第四节 如何控制单晶的质量 95
第五节 对设备的要求 123
第四章 物理测试 131
第一节 单晶体的检验 132
第二节 半导体材料导电类型的测量 138
第三节 电阻率测量 142
第四节 非平衡少数载流子寿命测量 153
第五节 单晶体中位错的观察 178
第六节 霍尔效应的简单介绍 186
附录一 锗、硅的一般性质 198
附录 198
附录二 锗、硅的半导体性质 199
附录三 锗和硅中的杂质 200
附录四 硅单晶掺杂极限 203
附录五 控制单晶的一些辅助材料 203
附录六 某些物质的熔点和沸点 204
附录七 获得低温的常用方法 205
附录八 热电偶种类及使用的温度范围 205
附录九 常用物理常数 206
附录十 锗、硅单晶中的杂质浓度N与电阻率ρ的换算 206