- 作 者：（苏）福里德金（Fridin，B.M.）著；肖定金译
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1987
- ISBN：13031·3452
- 标注页数：184 页
- PDF页数：194 页
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第一章 绪论 1
第二章 光铁电体的热力学 3
2.1 铁电半导体的自由能 5
2.2 一级相变与二级相变 8
2.3 电子对相变的影响——光铁电现象 12
2.4 禁带宽度的反常性 16
2.5 铁电半导体在居里点附近的电导率 17
第三章 光铁电现象的微观理论 23
3.1 铁电相变与软振动模 23
3.2 屏蔽对软振动模的影响 26
3.3 铁电相变与能带间电子-声子相互作用 31
3.4 光激发下杂质中心偶极矩的改变 36
3.5 相子和涨落子 38
第四章 自发极化的屏蔽 45
4.1 德拜长度——铁电体的屏蔽长度参量 46
4.2 铁电体中的屏蔽与相界的周期性结构 53
第五章 光铁电现象与光激励相变 60
5.1 光铁电现象的热力学 60
5.2 光致相变温度位移与光致滞后效应 64
5.3 电子激发对自发极化的影响 76
5.4 光致形变效应 78
5.5 BaTiO3的光致瑞利散射 82
第六章 铁电体的反常光生伏打效应 86
6.1 铁电体的APV效应 88
6.2 电极短路时的光生伏打电流 96
6.3 铁电体的AP效应的本质 108
6.3.1 杂质中心的非对称性和夫兰克-康登(Frank-Condon)弛豫 108
6.3.2 光致涨落 114
第七章 铁电体的光折变效应 119
7.1 铁电体的PR效应的机制 121
7.1.1 AP效应 125
7.1.2 电子激发对自发极化的影响 127
7.1.3 非平衡载流子的扩散 131
7.1.4 外电场中的光电导 131
7.2 光折变全息记录 132
7.3 光折变灵敏度 137
7.4 基于多光子激发的光折变效应 144
第八章 屏蔽现象 149
8.1 非平衡载流子对相界屏蔽的影响 149
8.2 屏蔽对开关过程的影响 155
8.2.1 SbSI的光致开关过程 156
8.2.2 PLZT的光致开关过程 161
8.3 光畴效应 162
8.3.1 SbSI和BaTiO3的光畴效应 163
8.3.2 本征光辐照对SbSI和BaTiO3的热释电电流的影响 168
8.4 屏蔽与短路光生电流 171
参考文献 174
附录 部分参考文献的俄、英文检索 179
索引 182