当前位置： 《半导体器件平面工艺》光刻 > 购买云解压PDF图书
- 作 者：上海无线电十七厂组织编写
- 出 版 社：上海：上海人民出版社
- 出版年份：1971
- ISBN：15·4·194
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第一章 概述 1
1-1 光刻技术概况 1
目录 1
1-2 光刻工艺过程 3
第二章 光致抗蚀剂 6
2-1 光致抗蚀剂的性能 6
2-2 光致抗蚀剂的配制 9
2-3 光致抗蚀剂的种类 11
3-1 硅片表面清洁处理的目的 14
第三章 硅片表面清洁处理 14
3-2 硅片表面清洁处理的方法 15
第四章 涂敷感光胶 18
4-1 涂胶的方法和设备 18
4-2 改进涂胶效果的几种措施 22
第五章 抗蚀剂膜的干燥（前烘） 25
第六章 曝光 27
6-1 曝光工艺过程 27
6-2 光致抗蚀剂的分辨率 29
6-3 影响分辨率的几种因素 30
第七章 显影 35
7-1 显影的要求 35
7-2 显影对光刻质量的影响 36
第八章 抗蚀剂膜的坚固（坚膜） 39
第九章 腐蚀 40
9-1 腐蚀的作用 40
9-2 腐蚀液的选择 41
9-3 二氧化硅的腐蚀 44
9-4 硅的腐蚀 50
9-5 铝等金属的腐蚀 51
第十章 抗蚀剂膜的去除（去胶） 54
第十一章 光刻中常见的弊病及防止改进的措施 55
第十二章 光刻技术的发展动态 63
12-1 大面积光刻 63
12-2 明室操作 65
12-3 投影光刻 65
12-4 电子束光刻和离子束掺杂 68