硅可控整流元件

第一章 发展中的硅可控整流元件 1

第二章 硅可控整流元件的原理 5

2.1 硅可控整流元件的简单介绍 5

2.2 半导体、p型半导体和n型半导体 8

2.3 p型半导体和n型半导体的导电原理 11

2.4 硅整流元件的心脏——p-n结 17

2.5 为什么p-n结正、反向导电能力不一样 19

2.6 p-n结的雪崩击穿 23

2.7 p-n结的相互作用 24

2.8 电流放大系数α 27

2.9 硅可控整流元件的工作原理 30

2.10 硅可控整流元件的控制极是怎样起作用的 33

第三章 硅可控整流元件的生产流程 36

3.1 扩散-合金法的生产流程 36

3.2 硅可控整流元件生产中应注意的问题 36

第四章 硅片的机械加工和清洁处理 39

4.1 选用什么样的硅单晶 39

4.2 硅片的机械加工 43

4.3 硅片的清洁处理 51

5.1 扩散法制造p-n结 57

第五章 扩散 57

5.2 采用什么样的方法扩散 59

5.3 怎样选择扩散片的参数 64

5.4 怎样控制扩散表面浓度 67

5.5 如何控制扩散结深 73

5.6 结深、表面浓度和p-n结耐压的测量 78

5.7 电阻率和长基区宽度对元件特性的影响 83

第六章 烧结 87

6.1 合金法制造p-n结 87

6.2 两种常用的烧结方法 90

6.3 怎样选择和控制烧结温度 95

6.4 怎样控制烧结深度 100

6.5 合金结平坦性的讨论 103

6.6 控制极电流大了怎么办 108

6.7 没有整流特性的接触——欧姆接触 113

6.8 合金材料的选择和配制 116

第七章 管芯的表面处理 120

7.1 表面处理的重要性 120

7.2 管芯表面电场的集中和表面的沾污 121

7.3 管芯为什么要磨角 123

7.5 表面保护的方法 130

7.4 管芯的腐蚀清洗 130

7.6 怎样使用有机硅漆 131

7.7 怎样得到二氧化硅膜 133

7.8 卧式溅射和立式溅射 134

7.9 硅橡胶在表面保护中的应用 142

第八章 元件的结构和封装 145

8.1 对元件的封装有哪些要求 145

8.2 管壳材料的演变 147

8.3 怎样把元件焊封成型 153

8.4 硬焊和压接式结构 160

8.5 平板式结构 163

第九章 特性的测试 167

9.1 硅可控整流元件伏安特性的测试 168

9.2 硅可控整流元件控制极特性的测试 171

9.3 正向压降的测量 173

9.4 p-n结温升的测试 175

9.5 正向阻断电压上升率的测试 180

9.6 开关时间的测试 187

9.7 过载电流及其测试 193

第十章 元件性能的提高 201

10.1 怎样提高元件的工作电压 203

10.2 怎样提高元件的高温特性 212

10.3 短路发射极 217

10.4 怎样减小硅可控元件的漏电流 222

10.5 元件的压降与温升 224

10.6 元件的控制极特性 227

10.7 电流上升率的提高 231

10.8 参数、特性间的关系 235

10.9 伏安特性的分析 238

11.1 硅双向可控元件 246

第十一章 硅可控整流元件的派生元件及有关工艺 246

11.2 控制极可关断的硅可控整流元件 250

11.3 硅快速开关元件 254

11.4 制造硅可控整流元件的双扩散方法 259

附录Ⅰ 高纯水的制备 268

附录Ⅱ 284

Ⅱ.1 几种常用的金属材料及其特性 284

Ⅱ.2 几种常用的相图 286

Ⅱ.3 p-n结染色显示法 288

Ⅱ.4 金刚砂磨料的规格及其表示方法 289

Ⅱ.5 扩散表面浓度查对表 290