- 作 者：（比）考林基（Colinge，J.P.）著；武国英等译
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1993
- ISBN：703003757X
- 标注页数：215 页
- PDF页数：226 页
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第一章 引论 1
第二章 SOI材料 5
2.1 异质外延技术 5
2.2 激光再结晶 11
2.3 电子束再结晶 17
2.4 区熔再结晶 19
2.5 同质外延技术 29
2.6 多孔氧化硅全隔离技术 31
2.7 注氧隔离技术 34
2.8 注氮隔离技术和注氧、氮隔离技术 44
2.9 硅片键合和反面腐蚀 46
2.10 材料应用 49
第三章 SOI材料的表征技术 52
3.1 膜厚度测量 53
3.2 晶体质量 62
3.3 硅膜的沾污 70
3.4 载流子寿命和表面复合 72
3.5 硅-二氧化硅界面 80
第四章 SOI CMOS技术 85
4.1 体硅器件和SOI器件工艺的比较 85
4.2 隔离技术 86
4.3 杂质分布 91
4.4 源和漏区的硅化物化 93
4.5 SOI MOSFET设计 94
4.6 SOI CMOS与体硅CMOS设计的比较 96
第五章 SOI MOSFET 98
5.1 引言 98
5.2 厚膜器件与薄膜器件的区分 99
5.3 I-V特性 103
5.4 跨导和迁移率 118
5.5 亚阈值斜率 122
5.6 碰撞电离和强场效应 128
5.7 寄生双极晶体管效应 133
5.8 积累型P沟道MOSFET 137
6.1 源于体硅的非常规器件 146
第六章 其它SOI器件 146
6.2 新型特殊SOI器件 150
第七章 恶劣环境下工作的SOI MOSFET的性能 160
7.1 辐射环境 160
7.2 高温工作环境 167
7.3 低温工作 171
第八章 SOI电路 174
8.1 抗辐照和耐高温电路 174
8.2 VLSI和高速CMOS电路 176
8.3 三维集成电路 179
参考文献 186
索引 208