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双极型晶体管模型
  • 作 者:格特鲁,I.E.著;周宁华,陈幼松译
  • 出 版 社:北京:科学出版社
  • 出版年份:1981
  • ISBN:15031·327
  • 标注页数:219 页
  • PDF页数:227 页
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目录 1

译者序 1

第一章 绪论 1

计算机辅助设计的用途 1

目的 2

结构 2

符号及其确定原则 3

输入参数和模型参数 4

模型同器件物理之间的关系 5

模型的符号 6

模型的选用 7

第二章 各种模型的理论推导 8

2.1 引言 8

2.2 EM1模型 8

2.2.1 注入型模型 10

2.2.2 传输型模型 13

2.2.3 变型的模型——非线性混合π模型 15

2.2.4 温度变化 17

2.2.5 小结及评述 18

2.3.1 改进的直流特性 22

2.3 EM2模型 22

2.3.2 电荷储存效应 25

2.3.3 小信号(线性化)的EM2模型 34

2.3.4 小结 35

2.4 EM3模型 37

2.4.1 在给定温度下改进的直流模型 38

2.4.2 在给定温度下改进的电荷储存模型 53

2.4.3 改进的随运用温度的变化关系 56

2.4.5 小结与结论 58

2.4.4 小信号(线性化)的EM3模型 58

2.5 GP模型 60

2.5.1 引言 60

2.5.2 Is的物理定义 64

2.5.3 9B的各种分量 71

2.5.4 qb的估算 78

2.5.5 基区展宽效应 94

2.5.6 GP模型同EM3模型的比较 99

2.5.7 小信号(线性化)的GP模型 103

2.5.8 小结 104

2.6 各种模型的局限性 105

第三章 参数测量 109

3.1 引言 109

3.2 EM1模型的参数测定 110

βF 111

βR 112

Is 113

Tnom 115

3.3 EM2模型的参数测量 116

E? 116

r′? 118

r′c 121

r′b 128

Cjo,φ和m 139

τF(或者在IC,VCE下的fT) 143

τR(或者τSAT) 149

CSUB或者CCs 151

3.4 EM3模型的参数测量 152

VA 153

IC LOW,BCEC以及VCE) 158

βFM,C2,nEL及θ(或者βF MAX,IC MAX,βF LOW, 158

βRM,C4,nCL以及θR 169

RATIO 170

LE/W,ICO 170

TC1,TC2 172

3.5 GP模型的参数测量 173

Iss 173

VB 174

IK 179

B 181

IKR 181

附录一 使用传输符号与使用注入符号的比较 184

附录二 EM3模型基区宽度调制的分析 187

附录三 GP模型中QB五个分量的推导 192

附录四 EM3和GP基区宽度调制模型的精确度 194

附录五 小信号、线性化的EM3和GP模型 199

附录六 SLIC,SINC以及SPICE程序中的各种输入参 206

数对照表 206

参考文献 213

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