- 作 者：史常忻等编著
- 出 版 社：上海：上海交通大学出版社
- 出版年份：1991
- ISBN：7313007868
- 标注页数：202 页
- PDF页数：208 页
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目录 1
第一章 GaAs集成电路的特点和发展 1
§1.1 GaAs集成电路的特点 1
§1.2 GaAs集成电路的发展和现状 3
参考文献 5
第二章 金属-半导体接触 6
§2.1 势垒高度 6
§2.2 电流特性 10
§2.3 测量势垒高度的实验方法 11
§2.4 势垒高度的调整 14
参考文献 15
第三章 GaAs MESFET 17
§3.1 Shockley模型 17
§3.2 电场变化对迁移率的影响 19
§3.3 沟道杂质非均匀分布的影响 22
§3.4 源、漏寄生电阻的影响 24
§3.5 两区间模型 26
§3.6 增强型MESFET 27
§3.7 一些参量的测量 27
参考文献 29
第四章 GaAs集成电路设计理论 30
§4.1 引言 30
§4.2 BFL单元 30
§4.3 SDFL单元 38
§4.4 DCFL单元 40
§4.5 电路设计 43
参考文献 49
§5.1 GaAs集成电路工艺的特点 50
第五章 GaAs集成电路工艺 50
§5.2 离子注入及退火技术 54
§5.3 栅工艺 77
§5.4 欧姆接触 91
§5.5 互连 95
§5.6 工艺流程 99
参考文献 111
第六章 GaAs集成电路逻辑模块特性计算机模拟 113
§6.1 GaAs集成电路设计与CAD 113
§6.2 离子注入GaAs MESFET直流特性的计算机模拟 113
§6.3 GaAs MESFET解析模型及直流特性 116
§6.4 GaAs IC逻辑门ECL直流及瞬态特性分析模拟 123
§6.5 BFL逻辑门直流及瞬态特性模拟 142
§6.6 GaAS IC逻辑单元DCFL设计 144
参考文献 153
第七章 高电子迁移率晶体管（HEMT） 154
§7.1 引言 154
§7.2 异质结 155
§7.3 各种类型异质结的能带图 159
§7.4 高电子迁移率晶体管 164
参考文献 175
附录 176
附录一 室温300K时GaAs、Si和Ge的性质 176
附录二 室温300K时某些Ⅲ-Ⅴ族半导体的性质 177
附录三 GaAs中的浅杂质和深能级 178
附录四 GaAs中电子和空穴的迁移率和杂质浓度的关系 179
附录五 GaAs的有关相图 180
附录六 微机彩色图形及GaAs FET电路中文编辑程序 182
附录七 GaAs IC DCFL逻辑门特性模拟源程序 191