- 作 者：毛友德编
- 出 版 社：上海：上海交通大学出版社
- 出版年份：1986
- ISBN：15324·23
- 标注页数：374 页
- PDF页数：385 页
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目录 1
绪论 1
第一章 非晶态材料中的电子理论 1
§1.1 引言 1
§1.2 柯伯-格林伍德公式 5
§1.3 安德森局域化 8
§1.4 迁移率边和最小金属化电导 14
§1.5 跳跃和变程跳跃 20
第二章 非晶态半导体的制备和结构 25
§2.1 非晶态半导体的制备 25
§2.2 非晶态半导体的分类 30
§2.3 非晶态半导体的结构特点 33
§2.4 短程序和径向分布函数 38
§2.5 确定非晶态半导体基本结构的方法 42
§2.6 非晶态半导体的结构模型 47
第三章 非晶态半导体的电学性质 55
§3.1 莫特—CFO模型 55
§3.2 直流电导率 60
§3.3 温差电动势率 73
§3.4 霍耳效应 81
§3.5 交流电导 85
§3.6 小极化子理论 93
§3.7 非晶态半导体的场效应 98
第四章 非晶态半导体的光学性质 102
§4.1 非晶态半导体的光吸收过程 102
§4.2 吸收边和奥巴克（Urbach）定则 106
§4.3 带间吸收 116
§4.4 振动模吸收 122
§4.5 自由载流子吸收 125
§4.6 高能端的吸收 128
§4.7 非晶态半导体的电子态密度 131
§4.8 非晶态半导体的光电导 134
第五章 四面体键非晶态半导体 145
§5.1 非晶态锗和硅的制备概述 145
§5.2 非晶硅的辉光放电淀积 152
§5.3 辉光放电淀积非晶硅的机理 167
§5.4 非晶硅薄膜中的氢和氟 173
§5.5 非晶锗、硅的基本结构 183
§5.6 非晶锗、硅的结构缺陷和隙态 187
§5.7 非晶锗、硅的电学性质 194
§5.8 非晶锗、硅的光学性质 202
§5.9 非晶硅的掺杂 217
§5.10 非晶硅的其他特性 234
§5.11 氢化非晶碳简介 242
§6.1 制备和结构 247
第六章 硫系非晶态半导体 247
§6.2 硫系玻璃的电学特性 254
§6.3 硫系玻璃半导体的缺陷态 261
§6.4 光致发光 268
§6.5 光吸收和光电导 273
§6.6 开关特性和存贮效应 276
§6.7 非晶硒 281
第七章 非晶态半导体的应用 289
§7.1 静电复印感光膜 289
§7.2 非晶硅太阳电池 303
§7.3 非晶硅场效应薄膜晶体管 325
§7.4 非晶硅电荷耦合器件 341
§7.5 非晶硅敏感器件 344
§7.6 非晶硅表面钝化膜 360
§7.7 非晶硅的其他应用 369