- 作 者：成都电讯工程学院，刘国维，谢孟贤
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1980
- ISBN：15034·2016
- 标注页数：159 页
- PDF页数：164 页
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目录 1
第六章 外延 1
§6-1 四氯化硅氢还原法外延生长原理 1
§6-2 四氯化硅氢还原法外延生长条件 5
§6-3 外延层中杂质浓度的分布 8
§6-4 硅烷热分解法外延技术简介 14
§6-5 外延层中的缺陷 18
§6-6 外延层的检测 22
第七章 光刻 32
§7-1 光刻胶（光致抗蚀剂） 33
§7-2 光刻工艺 35
§7-3 光刻中的常见问题 40
§7-4 提高光刻技术的-些措施 42
第八章 电极系统 55
§8-1 金属-半导体接触 55
§8-2 欧姆接触 60
§8-3 金属电极材料 62
§8-4 金属电极系统的失效机理 64
§8-5 GaAs的欧姆接触 74
第九章 表面钝化技术 78
§9-1 硅-二氧化硅界面特性及其对器件性能的影响 78
§9-2 MOS C-V分析 88
§9-3 低温钝化（LTP）技术 103
§9-4 磷硅玻璃（P2O5·SiO2）钝化 107
§9-5 氮化硅钝化 111
§9-6 三氧化二铝钝化 119
§9-7 化学钝化 125
§9-8 氮氢烘焙 129
第十章 半导体器件的可靠性 131
§10-1 可靠性基础知识 131
§10-2 器件的失效规律和常用的寿命分布 137
§10-3 可靠性试验 143
§10-4 失效机理 147
§10-5 提高器件可靠性的措施 154