- 作 者：包宗明，王儒全译
- 出 版 社：北京：原子能出版社
- 出版年份：1985
- ISBN：15175·554
- 标注页数：397 页
- PDF页数：403 页
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目录 1
辐射对半导体材料和器件性能的影响 1
功率晶体管的中子加固保证 35
超加固双极型晶体管的设计 51
双极型晶体管的中子加固保证筛选法 73
电离辐射引起的hFE退化与发射区周长的关系 86
TTL集成电路的中子加固保证技术 91
高速ECL微电路的辐射加固 105
双极型集成注入逻辑电路的辐射效应 118
集成电压调整器的辐射效应及其加固的分析 132
应用于加固系统的运算放大器 148
CMOS加固技术 170
硅表面缺陷对MOS辐射敏感度的影响 186
辐射加固的CMOS/SOS 202
辐射加固的CMOS集成电路的工艺技术 211
在静态MOS存贮单元中宇宙射线诱发的软错误 227
关于几种商用NMOS微处理机的电离辐射效应 242
电离辐射总剂量对1802微处理机的影向 250
LSI/VLSI制备工艺的辐射加固 263
电离辐射对电荷耦合器件结构的影响 271
电荷耦合器件的辐射效应 290
辐射加固的p表面沟道电荷耦合器件 305
砷化镓金属半导体场效应晶体管的辐射效应 316
辐射环境下GaAs MESFET的退化 332
三元系化合物红外探测器的辐射试验 342
氯化氢吸收、掺铬和铝注入对加固二氧化硅的影响 361
三氧化二铝栅绝缘层中的电荷注入和俘获 372
92k位磁泡存贮器系统的窄脉冲瞬态辐射效应 389