- 作 者：峨嵋半导体材料研究所译
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1975
- ISBN：15034·1456
- 标注页数：151 页
- PDF页数：155 页
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目录 7
一、砷化镓单晶的进展 7
1.1 GaAs单晶生长技术概述 8
1.2 大直径单晶的制造工艺 14
二、砷化镓外延生长的进展 24
2.1 外延生长的必要性 24
2.2 液相外延 26
2.3 气相外延 33
三、砷化镓场效应晶体管及其应用 40
3.1 制造技术 41
3.2 肖特基栅型FET的结构设计 42
3.3 材料方面的比较 45
3.4 应用 47
四、砷化镓微波固体器件 51
4.1 GaAs微波固体振荡器件的出现 51
4.2 各种GaAs微波二极管及其应用 57
五、砷化镓微波集成电路 67
5.1 GaAs微波集成电路的出现 67
5.2 GaAs微波集成电路的制造技术 70
5.3 GaAs微波集成电路的应用 75
6.1 耿氏二极管的出现及其现状 79
六、耿氏二极管及其应用 79
6.2 耿氏二极管的特点 82
6.3 耿氏振荡器的应用 86
七、发光二极管 93
7.1 发光二极管的原理和特性 94
7.2 发光二极管的种类 97
7.3 今后的动向 103
八、砷化镓半导体激光器 107
8.1 GaAs半导体激光器的出现 107
8.2 GaAs半导体激光器的功能 116
8.3 GaAs半导体激光器的应用及今后的发展 119
九、砷化镓体效应的新应用 122
9.1 放大器件 123
9.2 函数发生器和模拟-数字转换器 130
9 3 成象 132
9.4 逻辑器件 133
9.5 换能器 138
十、展望耿氏二极管和碰撞雪崩渡越时间二极管 142
10.1 电学特性 143
10.2 使用条件 146
10.3 根据用途判断两者的优劣 148
10.4 结论 151