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半导体器件研究与进展  2
  • 作 者:王守武主编
  • 出 版 社:北京:科学出版社
  • 出版年份:1991
  • ISBN:7030021835
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窄禁带半导体红外探测器 汤定元 童斐明 1

一、前言 1

二、Hg1-zCdzTe晶体的物理性质 5

三、红外探测器概述 26

四、光电导型红外探测器 45

五、光伏型红外探测器 63

六、多元列阵红外探测器 86

参考文献 103

半导体发光 徐叙瑢 108

一、前言 108

二、分立中心及复合发光 111

三、边缘发射 124

四、发光跃迁及无辐射跃迁 132

五、瞬态光谱 143

六、过热发光 148

七、高激发密度下的发光 157

八、p-n 结发光 166

九、高电场激发的发光 174

十、结束语 187

参考文献 189

金属硅化物 许振嘉 193

一、前言 193

二、金属硅化物的形成 195

三、过渡金属硅化物 214

四、稀土金属硅化物 252

五、金属硅化物的性质和应用 267

六、结束语 286

参考文献 287

超低阈值GaAIAs量子阱激光器 刘锦贤 293

一、光互连用的激光器 293

二、超低阈值和超高速量子阱激光器 296

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