- 作 者：《半导体手册》翻译组译
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1970
- ISBN：15031·282
- 标注页数：100 页
- PDF页数：110 页
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目录 1
第一章 概述 1
1.1 历史背景 1
1.2 参量放大器的分类和名称 1
第二章 基础理论 5
2.1 非线性电抗的基本特性 5
2.1.1 上边带方式 7
2.1.2 下边带方式 7
2.2 用小信号理论进行分析 7
2.2.1 频率fp所激励的非线性电容的特性 7
2.2.2 用外电路将一切无用边带短路进行分析 8
2.2.3 用外电路将无用边带开路进行分析 11
2.3 调制和解调 12
第三章 参量放大器晶体二极管 14
3.1 非线性电容晶体二极管的理论 14
3.1.1 耗尽层电容 14
3.1.2 扩散电容 16
3.2 参量放大器晶体二极管的设计 17
3.2.1 晶体二极管的特性常数 17
3.2.2 优值的分析 19
3.3.2 Q值和截止频率的测量 25
3.3.1 阻抗的测量 25
3.3 晶体二极管特性的测量法 25
3.4 晶体二极管的特性 29
3.4.1 阻抗特性 29
3.4.2 噪声特性 31
3.4.3 温度特性 32
3.4.4 特性一览表 34
3.5 新型晶体二极管 35
3.5.1 能减少串联电阻Rs的结构 35
3.5.2 能增大参数激励系数的结构 36
3.5.3 行波型 39
4.1.1 用外电路将一切无用边带短路进行分析 40
第四章 下边带参量放大器 40
4.1 晶体二极管的优值 40
4.1.2 用外电路将一切无用边带开路进行分析 42
4.1.3 参量放大器的等效电路 43
4.2 负电阻 46
4.3 放大电路的结构 47
4.4 放大增益 48
4.4.1 直接放大 49
4.4.2 变换放大 51
4.4.3 两种放大器的比较 51
4.5 频带宽度 52
4.6 噪声指数 54
4.6.1 变换放大 55
4.6.2 直接放大 56
4.6.3 下边带参量放大器的噪声指数最小条件 57
4.6.4 有RL存在时的噪声指数 58
4.6.5 双边带接收的噪声指数 58
4.6.6 最适工作点 59
4.6.7 用冷却方法降低噪声 61
4.7.1 激励功率的变动 62
4.7 稳定性 62
4.7.2 激励频率的变动 63
4.7.3 晶体二极管的温度特性 63
4.7.4 偏压的变动 63
4.7.5 循环传输器的温度特性 63
4.7.6 直接放大与变换放大的稳定性的比较 64
4.7.7 消除不稳定因素的方法 64
4.8 设计例 67
4.8.1 直接放大 67
4.8.2 变换放大 70
4.8.3 双边带接收 71
5.1 放大增益 73
第五章 上边带参量放大器 73
5.2 噪声指数最小条件 74
5.3 放大增益最大条件 76
5.4 总噪声指数最小条件 78
5.5 频带与稳定性 78
5.6 设计例 79
5.7 发射变频器 80
第六章 行波型参量放大器 84
6.1 相位条件 85
6.1.1 输入为f1和f2两种成分时的增益 85
6.2.1 放大增益的单向性 88
6.2 放大特性 88
6.1.2 行波型参量放大器的相位条件 88
6.2.2 频带、噪声指数 89
6.3 设计例 90
第七章 特殊方式 92
7.1 上下边带其用方式 92
7.2 低频激励方式 93
7.2.1 张氏方法 94
7.2.2 荷甘方法 95
7.3 作为限幅器的动作 96
7.4 作为不可逆元件的动作 97
参考资料 99