- 作 者：（英）J.B.丹塞著；云南光学仪器厂技术情报室译
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1974
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序言 6
目录 6
第一章导言 7
辐射的本质 8
光电发射 10
辐射能的测量 13
参考文献 17
第二章半导体基础 18
电子能级 18
本征光电导性 26
掺杂半导体材料 28
半导体结 32
半导体化合物 35
参考文献 36
引言 37
第三章光电发射材料 37
光电阴极的类型 42
小结 48
紫外光电发射体 48
参考文献 50
第四章光电发射二极管 51
真空光电二极管 51
真空光电管的实际应用 58
充气光电二极管 63
充气光电管的实际应 66
参考文献 70
第五章光电倍增管 72
光电倍增管 72
光电倍增管的基本电路 86
特种光电倍增管 90
电阻膜倍增器 93
多重倍增管 96
参考文献 97
第六章均质半导体光电器件 100
光电导性 100
硫化镉和硒化镉器件 101
敏红外光电导体 114
光电磁效应 125
参考文献 126
第七章结型光电器件 129
光谱响应 129
结型光电二极管 130
阻挡层硒光电池 140
光电晶体管 141
光控场效应晶体管 145
光激pnpn器件 145
积分电路光电探测器 147
参考文献 149
第八章象增强器和变象管 152
红外变象管 152
象增强管 154
固体象增强器 158
参考文献 160
第九章场致发光器件 162
基本过程 162
场致发光屏 164
结型二极管光电发射体 167
注入型激光器 173
奥波多晶体管 177
参考文献 177
附表Ⅰ 注有S编号的特定光敏面和窗材料 181
附表Ⅱ 某些半导体材料的性能 182