- 作 者：曹建中等著
- 出 版 社：北京：科学出版社
- 出版年份：1993
- ISBN：7030033221
- 标注页数：318 页
- PDF页数：331 页
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第一章 基础知识 1
1.1 半导体物理基础 1
1.2 辐射的基本概念 15
1.3 辐射与物质的相互作用 23
参考文献 45
第二章 半导体的辐射掺杂 47
2.1 半导体的离子注入掺杂 47
2.2 中子嬗变掺杂 54
参考文献 64
第三章 电离效应 66
3.1 体半导体的电离效应 66
3.2 绝缘体材料的电离效应 85
3.3 辐射感生界面态和氧化物电荷 107
3.4 电离效应的相关性——剂量增强效应 125
参考文献 127
第四章 位移效应 131
4.1 位移损伤缺陷的形成 131
4.2 位移损伤缺陷对宏观电参数的影响 152
4.3 位移损伤的相关性 179
4.4 小结 192
参考文献 195
第五章 辐射损伤缺陷测量 200
5.1 电子显微镜方法 200
5.2 沟道-背散射方法 203
5.3 红外光谱方法 231
5.4 电子顺磁共振(EPR)方法 240
5.5 深能级瞬态谱仪(DLTS)方法 267
5.6 正电子湮没技术(PAT) 284
5.7 其它方法 305
5.8 小结 307
参考文献 308
第六章 结语 312
6.1 电子材料辐射效应摘要 312
6.2 半导体元器件的辐射效应 312
6.3 辐射效应的应用 313