- 作 者：江丕桓等编
- 出 版 社：北京：国防工业出版社
- 出版年份：1974
- ISBN：15034·1377
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目录 5
绪言 5
第一章 结型场效应晶体管 7
1-1 结型场效应晶体管的一般介绍 7
1-2 结型场效应晶体管的特性 14
1-3 结型场效应晶体管的制造工艺 20
1-4 结型场效应晶体管的电参数 26
1-5 参数和结构的关系 33
1-6 结型场效应晶体管的噪声性能 46
1-7 结型场效应晶体管的测试 56
1-8 结型场效应晶体管的应用 71
第二章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 88
2-1 MOS晶体管的一般介绍 88
2-2 反型层的形成和开启电压 95
2-3 MOS晶体管的特性曲线 104
2-4 MOS晶体管的制造工艺和图形设计 111
2-5 MOS晶体管的参数 121
2-6 氧化膜中的正电荷与管子的稳定性问题 137
2-7 衬底电压对晶体管特性的影响 142
2-8 MOS晶体管的测试和应用 147
第三章 金属-氧化物-半导体集成电路 154
3-1 p型沟道MOS集成电路的一般介绍 155
3-2 数字电路的基本组成部分——反相器 159
3-3 逻辑门电路 179
3-4 触发器电路 191
3-5 动态逻辑电路 218
3-6 MOS集成电路的输出级和输入级 241
3-7 MOS大规模集成电路 252
3-8 n型沟道MOS集成电路 261
3-9 互补型MOS集成电路 265
3-10 MOS集成电路的新工艺 276
3-11 MOS集成电路的测试 287
附录一 常用数值 293
附录二 硅材料电阻率与杂质浓度的关系曲线 294
附录三 逻辑代数基本常识 295