- 作 者：（荷）列来，J.A.等著；珥石编译
- 出 版 社：上海：上海科学技术出版社
- 出版年份：1962
- ISBN：15119·1659
- 标注页数：142 页
- PDF页数：148 页
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目录 1
1．碳化硅单晶的制备及杂质的种类和数量的控制（J．A．Lely） 1
2．纯六方碳化硅晶体的制备（D．R．Hamilton） 5
3．纯碳化硅的制备和性质（D．R．Hamilton） 11
4．碳化硅及其在高温整流管中的应用（H．C．Chang） 20
5．蒸汽法生成碳化硅晶体（A．H．Smith） 28
6．碳化硅雏晶的形成（A．H．Smith） 32
7．碳化硅晶种上的外延生长和单晶生长（K．M．Hergenrother,S．E．Mayer,A．I．Mlavsky） 34
8．碳化硅晶体的生长过程（И．В．Каменцев） 39
9．气体裂化法生长碳化硅晶体（J．T．Kendall） 42
10．碳化硅的电子导电性（J．T．Kendall） 47
11．碳化硅晶体、晶须和微晶（K．M．Merz） 56
12．气体裂化法生长β-碳化硅晶体（V．E．Straughan,E．F．Mayer） 65
13．β-碳化硅单晶的汽相生长（S．Susman,R．S．SPriggs,H．S．Weber） 73
14．合成碳化硅的化学方法（W．Brenner） 87
15．合金熔体中的碳化硅晶体的生长（F．A．Halden） 91
16．从溶液中生长碳化硅（R．C．Ellis,Jr．） 98
17．在国际碳化硅会议上关于碳化硅单晶体生长部分的总结（一） 103
（P．H．Keck） 103
18．在国际碳化硅会议上关于碳化硅单晶体生长部分的总结（二） 105
（M．Tanenbaum） 105
附录Ⅰ．半导体中杂质和不完整性的作用（J．A．Burton） 108
附录Ⅱ．碳化硅的主要数据 119
附录Ⅲ．碳化硅二极管的性能 141