
- 作 者:(荷)列来,J.A.等著;珥石编译
- 出 版 社:上海:上海科学技术出版社
- 出版年份:1962
- ISBN:15119·1659
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目录 1
1.碳化硅单晶的制备及杂质的种类和数量的控制(J.A.Lely) 1
2.纯六方碳化硅晶体的制备(D.R.Hamilton) 5
3.纯碳化硅的制备和性质(D.R.Hamilton) 11
4.碳化硅及其在高温整流管中的应用(H.C.Chang) 20
5.蒸汽法生成碳化硅晶体(A.H.Smith) 28
6.碳化硅雏晶的形成(A.H.Smith) 32
7.碳化硅晶种上的外延生长和单晶生长(K.M.Hergenrother,S.E.Mayer,A.I.Mlavsky) 34
8.碳化硅晶体的生长过程(И.В.Каменцев) 39
9.气体裂化法生长碳化硅晶体(J.T.Kendall) 42
10.碳化硅的电子导电性(J.T.Kendall) 47
11.碳化硅晶体、晶须和微晶(K.M.Merz) 56
12.气体裂化法生长β-碳化硅晶体(V.E.Straughan,E.F.Mayer) 65
13.β-碳化硅单晶的汽相生长(S.Susman,R.S.SPriggs,H.S.Weber) 73
14.合成碳化硅的化学方法(W.Brenner) 87
15.合金熔体中的碳化硅晶体的生长(F.A.Halden) 91
16.从溶液中生长碳化硅(R.C.Ellis,Jr.) 98
17.在国际碳化硅会议上关于碳化硅单晶体生长部分的总结(一) 103
(P.H.Keck) 103
18.在国际碳化硅会议上关于碳化硅单晶体生长部分的总结(二) 105
(M.Tanenbaum) 105
附录Ⅰ.半导体中杂质和不完整性的作用(J.A.Burton) 108
附录Ⅱ.碳化硅的主要数据 119
附录Ⅲ.碳化硅二极管的性能 141