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碳化硅宽带隙半导体技术
  • 作 者:郝跃等编著
  • 出 版 社:北京:科学出版社
  • 出版年份:2000
  • ISBN:7030082435
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第一章 SiC半导体材料及其性质 1

1.1 应用潜力巨大的极端电子学材料 1

1.2 SiC的基本性质 6

1.3 SiC多型的结构 14

1.4 电子有效质量各向异性对霍尔因子的影响 19

1.5 4H-SiC中电子的有效质量 24

1.6 SiC多型的基态性质 27

参考文献 29

第二章 SiC单晶体的生长 31

2.1 AchesOn法和Lely法 31

2.2 可控的同质多型现象及同质多型的选择性 41

2.3 SiC单晶的质量评价与缺陷 49

参考文献 70

第三章 SiC薄膜的生长及其机理 72

3.1 SiC-Si的异质外延生长 72

3.2 SiC-Si异质外延生长的模拟与实验 75

3.3 CVD法生长SiC的热动力学相图 85

3.4 SiC的同质外延生长 103

3.5 6H-SiC分步外延的生长机理 107

3.6 蓝宝石复合衬底上的异质外延 115

3.7 各种衬底上SiC外延薄膜的比较 130

3.8 薄膜缺陷 135

参考文献 140

第四章 品质因数与宽带隙半导体的应用 143

4.1 半导体器件的物理极限与品质因数 144

4.2 用于电力器件的6H-SiC、3C-SiC和Si的比较 153

4.3 4H-SiC、GaAs和Si的射频MESFET功率器件的比较 167

4.4 金刚石及SiC在微波及毫米波功率器件中的应用 171

4.5 SiC光电器件与传感器 183

4.6 SiC紫外线光电二极管 190

参考文献 196

第五章 SiC器件工艺 199

5.1 局部外延 200

5.2 氧化/钝化 202

5.3 刻蚀 217

5.4 掺杂 228

5.5 互连、接触与隔离 233

参考文献 249

第六章 GaN基Ⅲ-V族氮化物宽带隙半导体 251

6.1 Ⅲ-V氮化物的基本性质和结构的多型性 251

6.2 氮化物晶体薄膜的生长 252

6.3 氮化物器件工艺技术 257

6.4 氮化物合金的性质 260

6.5 Ⅲ-V氮化物的作用 262

6.6 碳化硅-氮化铝结构 266

参考文献 267

附录 碳化硅的主要数据 269

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