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半导体锗材料与器件

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（比）克莱，（比）西蒙著2010 年出版392 页ISBN：9787502451752
本书全面系统介绍了有关锗晶体生长、长入缺陷和工艺导致缺陷、不同材料、工艺相关问题直至最现代的ULSI器件等所有方面。第一章至第七章更多考虑引导性叙述，包括基础材料、缺陷和器件等内容。第八章到第十二...
超纯半导体材料锗的获得

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陈存礼编著1960 年出版89 页ISBN：T13100·129
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

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郝跃，张金风，张进成著2013 年出版304 页ISBN：9787030367174
本书在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进展以及本书的内容组织，随后的内容可分为材料和器件两大部分。在氮化物电子材料部分（第二章到第八章...
中国电子学会论文集第2届全国半导体化合物材料微波器件光电器件学术会论文集摘要

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中国电子学会半导体与集成技术，电子材料学学会编1982 年出版306 页ISBN：
化合物半导体材料与器件

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谢孟贤，刘诺编著2000 年出版215 页ISBN：7810655140
半导体材料与器件表征技术

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（美）施罗德著，大连理工大学半导体研究室译2008 年出版542 页ISBN：9787561141380
非晶半导体材料与器件

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陈治明编著1991 年出版415 页ISBN：7030022831
本书从工程角度论述了非晶半导体材料的制备、特性和分析方法和多种非晶半导体器件设计方法和制造技术。
半导体材料与器件表征第3版

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（美）迪特尔·K.施罗德著2017 年出版714 页ISBN：7569302189
宽禁带化合物半导体材料与器件

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朱丽萍，何海平编著2016 年出版185 页ISBN：7308157469
江苏电子专题资料 半导体器件与工艺 11

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江苏省电子工业综合研究所1978 年出版124 页ISBN：