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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
郝跃，张金风，张进成著2013 年出版304 页ISBN：9787030367174本书在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进展以及本书的内容组织，随后的内容可分为材料和器件两大部分。在氮化物电子材料部分（第二章到第八章...
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