半导体物理与器件 原书第4版

本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，共三部分（合计15章）。

半导体物理与器件

本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书共8章，内容包括晶体中的电子运动状态、平衡半导体中的载流子浓度、载流子的输运、过剩载流子、PN结、金属半导体解除和异质结、MOS结构及MOSFET器件、...

金属-缘绝体-半导体微电子学系统的物理基础

低维半导体物理

本书共分为10章：晶态半导体物理、低维半导体的能带结构、低维半导体中的电子状态、调制掺杂异质结中的二维电子气输运、半导体超晶格中的电子隧穿输运、低维量子结构中的输运现象、半导体量子阱的光学性质、...

半导体器件物理 第3版

本书为微电子领域一本世界著名教材，已被译为6国文字，发行量逾百万册，该书为第3版，主要更新了最新的现代专题，例事和习题及习题指导。本书可供本科生、研究生以及从事微电子、半导体器件的工程技术人员使用。...

半导体薄膜技术与物理 第2版

“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材，浙江大学材料科学与技术丛书。本科生教学用书，介绍半导体薄膜的真空技术；物理气相沉积技术（PVD）；化学气相沉积技术（CVD）；分子束外延技术；液相外延技术等内容。...

半导体量子器件物理

本书主要介绍了低维半导体材料的电学和光学性质，电学量子器件原理，光学量子器件原理和量子材料及器件的制备工艺等。书中既给出了传统的二极管、三极管的器件在纳米尺度上的许多量子特性，又对新型的量子点单电...

窄禁带半导体物理学

本书主要讨论了窄禁带半导体物理的基本物理性质，包括晶体生长、能带结构、光学常数、晶格振动、自由载流子的激发和运输、杂质缺陷、非线性光学性质、表面界面、二维电子气超晶格和量子阱、器件物理的方面基...

硅基应变半导体物理

能带结构与载流子迁移率是深入研究硅基应变材料基本属性，发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移...

半导体物理学简明教程

本书力图以简明扼要的方式全面介绍半导体物理学的基础知识及其新进展，内容包括半导体的物质结构和能带结构、杂质和缺陷、载流子的统计分布及其运动规律、非热平衡态半导体、pn结、金属-半导体接触、异质结...