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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
郝跃，张金风，张进成著2013 年出版304 页ISBN：9787030367174本书在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进展以及本书的内容组织，随后的内容可分为材料和器件两大部分。在氮化物电子材料部分（第二章到第八章...
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半导体薄膜技术与物理
叶志镇…等编著2008 年出版278 页ISBN：9787308066174本书介绍半导体薄膜的真空技术；物理气相沉积技术（PVD）；化学气相沉积技术（CVD）；分子束外延技术；液相外延技术等内容。
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上海半导体材料产业发展研究报告 2011年
上海市张江高新技术开发区管理委员会，上海市嘉定区科学技术委员会，上海新傲科技股份有限公司编2012 年出版161 页ISBN：9787544442732本报告从“泛半导体技术”概念出发，针对集成电路、太阳能电池、发光二极管、光电探测器件，新型半导体功率器件等不同应用领域，对半导体级硅材料、太阳能电池级硅材料、高端硅基材料、化合物半导体材料和宽带隙...
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